鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)種類(lèi)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)種類(lèi)多樣,主要可以根據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電荷傳輸層的位置與性能進(jìn)行分類(lèi)。以下是幾種主要的結(jié)構(gòu)種類(lèi):
1. 介孔結(jié)構(gòu)
介孔結(jié)構(gòu)是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中最為常見(jiàn)的一種結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中,電子傳輸層通常包括致密層以及骨架層兩個(gè)部分。骨架層(通常為介孔氧化物TiO2或Al2O3)位于致密層和吸光層之間,作為框架幫助控制后續(xù)沉積鈣鈦礦薄膜的形貌,提高平整度和覆蓋度。同時(shí),它還能輔助電子傳輸,減少電子與空穴的復(fù)合,并減少由于電子在界面處的大量聚集導(dǎo)致的滯后效應(yīng)。然而,制備骨架層時(shí)通常需要在500°C左右的高溫下退火,這限制了鈣鈦礦電池的基底選擇,例如大多數(shù)不耐高溫的柔性基底。
2. 平面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)
平面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)是另一種重要的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu),主要分為正式n-i-p平面結(jié)構(gòu)和反式p-i-n平面結(jié)構(gòu)。
正式n-i-p平面結(jié)構(gòu):在這種結(jié)構(gòu)中,光入射到透明電極后首先進(jìn)入電子傳輸層。這種結(jié)構(gòu)主要由透明導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和金屬對(duì)電極組成。電子傳輸層通常采用具有高電子遷移率的材料,如TiO2、ZnO等;空穴傳輸層則采用具有高空穴遷移率的材料,如Spiro-OMeTAD、PTAA等。正式n-i-p平面結(jié)構(gòu)具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),但其光電轉(zhuǎn)換效率通常較低。
反式p-i-n平面結(jié)構(gòu):與正式n-i-p平面結(jié)構(gòu)相反,光入射到透明電極后首先進(jìn)入空穴傳輸層。這種結(jié)構(gòu)主要由透明導(dǎo)電基底、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層和金屬對(duì)電極組成。反式p-i-n平面結(jié)構(gòu)具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率和更好的穩(wěn)定性,但制備工藝相對(duì)復(fù)雜。空穴傳輸層通常采用PEDOT:PSS等材料,電子傳輸層則采用PCBM等材料。此外,為了進(jìn)一步提高反式p-i-n平面結(jié)構(gòu)的光電性能,研究人員還嘗試采用各種界面修飾和摻雜技術(shù)來(lái)優(yōu)化界面性能和電荷傳輸效率。
3. 其他結(jié)構(gòu)
除了上述兩種主要結(jié)構(gòu)外,還有一些基于鈣鈦礦材料特性的創(chuàng)新結(jié)構(gòu),如無(wú)HTM層結(jié)構(gòu)等。這些結(jié)構(gòu)通過(guò)簡(jiǎn)化電池結(jié)構(gòu)或引入新的材料組合,旨在提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性和成本效益。
綜上所述,鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)種類(lèi)多樣,每種結(jié)構(gòu)都有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和適用場(chǎng)景。隨著鈣鈦礦材料研究和制備技術(shù)的不斷進(jìn)步,未來(lái)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)種類(lèi)和性能有望得到進(jìn)一步提升和優(yōu)化。